CKD Technology har ikke bare helt nye maskiner på lager, tilgjengelig umiddelbart.
Vi har også detaljert utleievirksomhet, klar til å betjene dine spesifikke produksjonsbehov samtidig som du reduserer den opprinnelige investeringen din betydelig. Kontakt oss for mer informasjon.
CKD har et team av profesjonelle ingeniører, klare til å levere nøkkelferdige tjenester.
For handel med brukte maskiner, vennligst kontakt oss via Whatspp eller e-post.
------------------------------------------------------------------------------------
MYS10-serien er et helautomatisert, in-line plasmabehandlingssystem utviklet for applikasjoner i sektorer som halvledere, elektronikk, SMT, optoelektronikk og medisinsk teknologi.
• Atmosfærisk trykk argon plasma system
• 100 mm bred in-line batch plasmabehandling; tilbyr 2–5 ganger høyere effektivitet og over 30 % lavere driftskostnader sammenlignet med tradisjonelle metoder
• 100 % nøytralt plasma; trygg og skånsom mot sensitive elektroniske komponenter – genererer ingen plasmabombardement, statisk elektrisitet, gnister, lysbuer, støv, høy varme, overflatebølger eller UV-stråling, noe som sikrer null skade på produktene
• Kompakt plasmaplattform som tilbyr høy fleksibilitet og kompatibilitet
• Allsidige kjemiske prosesser: O2-prosess for fjerning av organiske forurensninger; H2-prosess for fjerning av metalloksider og aktivering av produktoverflater
• Ingen generering av partikler eller flytende forurensninger
| Grunnleggende spesifikasjoner | MYS10 |
| Strømkrav | AC 200–240V, 4,4kW, 20A, 50/60Hz |
| Krav til lufttrykk | 90 psi (6 bar) |
| Dimensjoner | 790 x 1200 x 1880 mm |
| Vekt | 800 kg |
| Sertifiseringsstandarder | CE, SEMI S2 |
| Posisjoneringsnøyaktighet | XY: ±30 µm @ 3σ; Z: ±10 µm @ 3σ |
| XYZ-akse repeterbarhet | XY: ±15 µm @ 3σ; Z: ±5 µm @ 3σ |
| Maksimal hastighet | 1000 mm/s (XY) |
| Akselerasjon | 1,0 g |
| Drive System | AC servo |
| Spesifikasjoner for arbeidsplattform | |
| Sportype | Belte |
| Skinnelastkapasitet | 3 kg |
| Substrattykkelsesområde (uten bærer) | 0,5–6 mm |
| Z-aksevandring | 100 mm |
| Maks. komponenthøyde (overside) | 26 mm |
| Maks. komponenthøyde (underside) | 23 mm |
| Kommunikasjonsprotokoll | SMEMA |
| Arbeidsområde | |
| Plasmabehandlingsområde (B×D) | 350–475 mm |
| Vannkontaktvinkel (WCA) etter plasmabehandling | WCA < 10° (silisium wafer) WCA < 20° (ikke-metallisk) |
| Plasmabehandlingsmetode | O2-prosess for fjerning av organisk forurensning H2-prosess for fjerning av metalloksid |
| Krav til plasmasystem | |
| RF-strøm | 600W ved 27,12MHz |
| Hovedplasmagass | Argon |
| Prosessgass | O2, N2 eller H2 |
| Gassforsyningstrykkområde | 40–100 psi (0,3–0,7 MPa) |
Adresse
5. etasje, bygning 2, nr. 182, Chang'an Xi'an Road, Chang'an Town, Dongguan, Guangdong-provinsen, Kina.
Tlf
E-post
